Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления /
При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 2,5 мм, а диаметр УНТ – 1,36 нм?
При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 2,5 мм, а диаметр УНТ – 1,36 нм?
вопросПравильный ответ:
свыше 18 В
свыше 13,5 В
свыше 9 В
свыше 8 В
свыше 6,8 В
Сложность вопроса
58
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это очень нехитрый решебник intuit.
28 фев 2020
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 500 х 100 нм (ответ укажите в мкэВ)
- # Запишите, в какие состояния последовательно переходит сквид R-S БОК триггера и какие сигналы появляются на его выходе при заданном исходном состоянии и разных заданных последовательностях входных сигналов. Исходное состояние "0", последовательность входных сигналов – S, R, S, R, S, S.
- # Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 32 нм.
- # Если наноэлектронные весы на УНТ имеют чувствительность 1,3*10-25 кг/Гц, то на сколько изменится частота колебаний УНТ, когда на нее осядет молекула металлофуллерена ? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Пусть базовому состоянию кубита