Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 15 В, а диаметр УНТ – 1,8 нм (ответ укажите в мкА). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Правильный ответ:

• # Считая, что удельная емкость перехода Джозефсона типа SIS составляет 5,2*10-2 Ф/м2, и она составляет 93% суммарной электрической емкости сверхпроводящего островка, рассчитайте: зарядовую энергию сверхпроводящего островка размерами 500 х 100 нм (ответ укажите в мкэВ)
• # При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 1,5 мм, а диаметр УНТ – 3,6 нм?
• # Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 20 В, а диаметр УНТ – 2,7 нм (ответ укажите в нА)
• # В квантовом регистре, состоящем из двух кубитов, волновая функция первого в общем случае равна , волновая функция второго равна . Запишите выражение для волновой функции регистра в случае, когда первый кубит находится в базовом состоянии .
• # Сравните среднее число операций, требуемое для поиска в неструктурированной базе данных с помощью классического процессора и с помощью квантового процессора с алгоритмом Гровера в случае, когда: число записей