Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления /
Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на [картинка], а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:
Пользуясь вольтамперными характеристиками УНТ полевого транзистора, показанными на
, оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме, показанной на
, а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:
вопрос
Правильный ответ:
8,8 нА и 437 нА; –1,179 В и –0,152 В
4,6 нА и 328 нА; –1,185 В и –0,114 В
2,7 нА и 233 нА; –1,188 В и –0,081 В
33 нА и 750 нА; –1,44 В и –0,23 В
11 нА и 540 нА; –1,47 В и –0,166 В
Сложность вопроса
67
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я завалил зачёт, почему я не увидел этот чёртов сайт с всеми ответами с тестами intuit раньше
23 сен 2018
Аноним
Зачёт всё. Иду кутить отмечать 5 за тест интуит
09 апр 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Оцените собственное время переключения криотрона, у которого материал управляемой шины имеет в не сверхпроводящем состоянии удельное сопротивление
, толщина изоляционного слоя между шинами
и толщина управляющей шины
.
- # На рисунке показана логическая схема на криотронах. Какую логическую функцию выполняет соответствующая схема? [Большая Картинка]
-
#
Обозначим некоторые признаки сверхпроводящих кубитов на переходах Джозефсона (ПД) следующим образом. Число ПД в кубите: (А) 1; (Б) 2; (В) 3; (Г) 2 + один со структурой SFS. Соотношение джозефсоновской и зарядовой энергии: (а)
; (б)
; (в)
; (г)
для одного и
– для других ПД. Какие из этих признаков характерны для сверхпроводящих кубитов: потоковых? Укажите соответствующие обозначения (А, Б, В, Г и а, б, в, г), например (Б + а).
- # Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 11 нм.
-
#
Состояние кубита задано волновой функцией
, выраженной через базисные волновые функции
и
. Запишите волновую функцию того состояния кубита, в которое он перейдет в результате преобразования Адамара
. Если
.
, оцените величину электрического тока, протекающего в закрытом и в открытом "плечах" триггера, собранного по схеме, показанной на
, а также уровень напряжения на каждом из этих "плеч", если:
, толщина изоляционного слоя между шинами
и толщина управляющей шины
.
; (б)
; (в)
; (г)
, выраженной через базисные волновые функции
и
. Запишите волновую функцию того состояния кубита, в которое он перейдет в результате преобразования Адамара
. Если
.