При использовании технологии локального нагрева участка записи последний проходит под лазерным нагревателем на протяжении короткого времени. Рассчитайте время (в нс) нагрева при условиях если скорость вращения магнитного диска составляет 5400 оборотов/мин., радиус магнитной дорожки 25 мм, а ширина лазерного пучка 820 нм

Правильный ответ:

• # Какое увеличение требуется для того, чтобы на экране магнитно-силового микроскопа увидеть изображение отдельных магнитных наночастиц размером 10 нм?
• # Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 25 нм, а расстояние между ними 10 нм
• # Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 150 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 до 120 . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно . Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 256 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 128 Мбит при = 6?