Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц,. С помощью наноэлектронных гетеротранзисторов максимальную частоту модуляции сигналов в волоконно-оптическом кабеле связи удалось повысить от 75 ГГц
Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц,. С помощью наноэлектронных гетеротранзисторов максимальную частоту модуляции сигналов в волоконно-оптическом кабеле связи удалось повысить от 75 ГГц до 225 ГГц. Сколько HD каналов телевидения теоретически можно теперь дополнительно передавать через этот кабель?
вопросПравильный ответ:
1200
Сложность вопроса
50
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
спасибо за пятёрку
27 окт 2018
Аноним
Экзамен прошёл на пять с минусом. спс
14 фев 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 1 и 11 [Большая Картинка]
- # Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 6,4 мкс, а на пластине размещается 144 СБИС?
-
#
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в арсениде галлия при температуре 150
С
-
#
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).
= 3,1;
= 70 нм;
= 100 нм;
= 2,66 мкОм*см;
= 2 мм.
- # Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
С
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).