Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного п
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов
= 20, а соотношение
= 15. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
5,42
Сложность вопроса
82
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт всё. Лечу в клуб отмечать 4 за тест интуит
23 июн 2018
Аноним
спасибо за тест
10 июн 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 1,2 мкс, а на пластине вмещается 400 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
-
#
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 200 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной
= 1,3, диэлектрическая постоянная среды
= 2,5. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) и заданных напряжениях на затворе (
) и между истоком и стоком (
). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок?
.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 1 Мбит? (ответ укажите в тысячах).
-
#
Рассчитайте величину электрического тока (пА), который протекает сквозь наноэлектромеханический транзистор, изображенный на рисунке, если известна частота его колебаний
:
= 230 МГц
[Большая Картинка] Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов
= 20, а соотношение
= 15. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
= 1,3, диэлектрическая постоянная среды
= 2,5. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
,
и
) и заданных напряжениях на затворе (
) и между истоком и стоком (
). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок?
.
: